制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 950 mA, 530 mA
Rds On-漏源导通电阻: 266 mOhms, 745 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV, 1.2 V
Qg-栅极电荷: 340 mC, 400 fC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: BSD235
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 1.2 ns, 3.2 ns
正向跨导 - 最小值: 700 mS, 2 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.6 ns, 5 ns
工厂包装数量：9000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 4.5 ns, 5.1 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns, 3.8 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: BSD235C H6327 SP000917610
单位重量: 7.500 mg
